Reuters - Otras fuentes -
SanDisk Corp informó el viernes que la compañía fue citada por el gran jurado de una corte de distrito de Estados Unidos, en el marco de una investigación del Departamento de Justicia sobre presuntos
acuerdos de precios en la industria de la memorias flash NAND.En una presentación a los reguladores, SanDisk dijo que las citaciones fueron cursadas a la firma y a su presidente ejecutivo, Eli Harari, las que ocurren luego de que la compañía fuera demandada el mes pasado en un tribunal de California por presunta fijación de precios de memorias flash.
Según la presentación,
otras 23 compañías fueron acusadas por la misma razón.
Las memorias flash NAND son
utilizadas principalmente en las cámaras digitales y en los
reproductores de música, como el iPod de Apple Inc. .
SanDisk dijo que
también recibió una notificación de la
Oficina Canadiense de la Competencia, que ha comenzado una investigación en toda la industria por acusaciones de actividades anticompetitivas entre los proveedores de memorias flash NAND de Canadá.
El sábado,
Toshiba informó en Japón, que había
recibido una citación del Departamento de Justicia de Estados Unidos por su negocio de memorias flash, NAND.
El fabricante líder es
Samsung. La citación de Toshiba se produce después que su socia la compañía, SanDisk, declaró este viernes en el mismo marco investigativo.
Keisuke Ohmori,vocero de Toshiba en Tokio, confirmó, hoy sábado, que la unidad de ventas estadounidense, Toshiba America Electronics Components, había recibido la citación.En una declaración oficial, SanDisk informó que la citación para la compañía y su director ejecutivo, Eli Harari, siguieron a una demanda, el mes pasado, en la que se alegaba arreglo de precios de las citadas memorias.
Entre los otros fabricantes de memorias NAND flash se incluyen
Samsung y Hynix Semiconductor.El mercado de memorias NAND Flash y DRAM, global, involucra unos 37.000 millones de dólares, y se estima un crecimiento a unos 67.000 millones de la misma moneda, para el 2010.
El liderazgo del mercado lo ejercen las Surcoreanas
Samsung Electronic y
Hynix Semiconductor, en el 2007, aportarían el 47% del total de la producción de unidades DRAM, mientras que las taiwanesas y chinas ostentarían un 31%, y el resto de regiones el 22%.
Sin embargo, esta diferencia comenzará a reducirse en 2008, cuando se prevé que los fabricantes chinos y taiwaneses incrementen su producción cuatro puntos porcentuales, hasta un 35%, al tiempo que la cuota coreana se reducirá al 46%.
Las compañías surcoreanas están añadiendo capacidad de producción de memoria DRAM, pero esto está contribuyendo significativamente al desplome de los precios de este año. Ahora los precios están por debajo de los costes de producción para muchos de los proveedores. El crecimiento anual de los ingresos de DRAM alcanzó su máximo en marzo, y se encuentra en medio de una desaceleración que continuará hasta marzo de 2008.
Con los precios del DRAM a niveles extremadamente bajos, las compañías
OEM han empezado a acumular inventario. Afortunadamente para las firmas del sur coreano, otro de los principales mercados de memoria - las
NAND flash– alcanzó su punto más bajo en el primer trimestre del presente año y parece que ahora empieza a recuperarse.
Una recuperación que podría favorecer a los fabricantes de Corea del Sur, ya que su dominio en DRAM podría transformarse en otro en NAND, lo que se espera será más rentable con el tiempo.
Pese a todo, los proveedores no están en peligro de perder su liderazgo de marca, ya que mucha de la producción china y taiwanesa se hace bajo marcas privadas y se vende bajo el nombre de otra compañía, como
Qimonda y
Elpida Memory.
Micron Technology Inc. (NYSE:MU) es uno de los principales proveedores mundiales de avanzadas soluciones de semiconductores. Por medio de sus operaciones alrededor del mundo, Micron fabrica y comercializa memorias DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio), memoria NAND flash, sensores de imagen CMOS (semiconductor complementario de óxidometálico), otros componentes de semiconductores y módulos de memoria para uso en productos informáticos de punta, de consumo, de interconexión de redes y de telefonía celular.
Es sumamente interesante leer su
informe de resultados del tercer trimestre del ejercicio fiscal 2007, donde entre otras cosas destacan:
"Una pérdida neta de 225 millones de dólares estadounidenses (0,29 dólares por acción diluida) sobre un total de ventas netas de 1.300 millones de dólares."
"La empresa logró reducir considerablemente el costo por megabit de sus productos de memoria NAND Flash y DRAM en el tercer trimestre en aproximadamente 30% y 15% respectivamente, con respecto al trimestre anterior."
"El reciente aumento del suministro en elsector provocó caídas de los precios en el tercer trimestre deaproximadamente 35% para la memoria DRAM y 30% para los productos NANDFlash, con respecto al segundo trimestre."
